[发明专利]浸渍钡钨阴极及制备方法无效
| 申请号： | 03123139.X | 申请日： | 2003-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1538484A | 公开（公告）日： | 2004-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张红卫;丁耀根;白振纲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J1/14 | 分类号： | H01J1/14;H01J9/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 100080*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种浸渍钡钨阴极，其组成为纯钨粉，其孔隙中浸渍有铝酸盐。其制备方法是：将纯钨粉放入500－1500℃氢炉内退火；用内有钼筒的压模将退火后的钨粉压制成平顶阴极体；阴极体放入氢炉，当温度达到1000－2000℃时，保温1－10小时；置于铝酸盐粉末中，氢气气氛中，1500－2000℃浸渍1－10分钟，浸渍后的浮盐用钨丝棉团清除；安装热子，制得新型浸渍钡钨阴极。 | ||
| 搜索关键词： | 浸渍 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种浸渍钡钨阴极，其组成为纯钨粉，其孔隙中浸渍有铝酸盐。
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