[发明专利]低噪声双极结型光敏场效应晶体管及制作方法无效
| 申请号： | 03123140.3 | 申请日： | 2003-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1538532A | 公开（公告）日： | 2004-10-20 |
| 发明（设计）人： | 金湘亮;陈杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子中心 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L27/14;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 10002*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种低噪声双极结型光敏场效应晶体管，包括：一N－型的半导体硅基衬底；一导电沟道为P型导电沟道，该P型导电沟道制作在N－型的半导体硅基衬底上；一注入多数电子的N+区，该注入多数电子的N+区制作在P型导电沟道的一侧；一注入多数电子的N+区构成光电二极管，该注入多数电子的N+区构成光电二极管制作在导电沟道为P型导电沟道的中间；一注入多数空穴的P+区，该为注入多数空穴的P+区制作在导电沟道为P型导电沟道的另一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 噪声 双极结型 光敏 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种低噪声双极结型光敏场效应晶体管，其特征在于，包括：一N-型的半导体硅基衬底；一导电沟道为P型导电沟道，该P型导电沟道制作在N-型的半导体硅基衬底上；一注入多数电子的N+区，该注入多数电子的N+区制作在P型导电沟道的一侧；一注入多数电子的N+区构成光电二极管，该注入多数电子的N+区构成光电二极管制作在导电沟道为P型导电沟道的中间；一注入多数空穴的P+区，该为注入多数空穴的P+区制作在导电沟道为P型导电沟道的另一侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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