[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

一种半导体存储器件包括在半导体衬底上平行排列的多个位线结构，并具有多个位线和围绕位线的绝缘材料，形成在位线结构之间的空间部分的隔离层，以限定预定的有源区，并与位线结构具有基本相同的高度，半导体层形成在由位线结构和隔离层围绕的预定的有源区中，并与位线结构和隔离层具有基本相同的高度，在位线结构、隔离层和半导体层上平行排列多个字线结构，并包括多个字线和围绕字线的绝缘材料，并且在字线结构两侧的硅层上形成源极和漏极区。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上平行排列的多个位线结构，每个位线结构包括位线和围绕位线的绝缘材料；形成在位线结构之间的空间中的隔离层，以限定预定的有源区；在由位线结构和隔离层围绕的预定的有源区中形成半导体层，半导体层具有与位线结构基本相同的高度；在位线结构、隔离层和半导体层上平行排列多个字线结构，字线结构包括多个字线和围绕字线的绝缘材料；以及在字线结构两侧的半导体层中形成的源极和漏极区。