[发明专利]半导体存储器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 03123468.2 申请日: 2003-05-14
公开(公告)号: CN1458693A 公开(公告)日: 2003-11-26
发明(设计)人: 金志永 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 谢丽娜,谷惠敏
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体存储器件包括在半导体衬底上平行排列的多个位线结构,并具有多个位线和围绕位线的绝缘材料,形成在位线结构之间的空间部分的隔离层,以限定预定的有源区,并与位线结构具有基本相同的高度,半导体层形成在由位线结构和隔离层围绕的预定的有源区中,并与位线结构和隔离层具有基本相同的高度,在位线结构、隔离层和半导体层上平行排列多个字线结构,并包括多个字线和围绕字线的绝缘材料,并且在字线结构两侧的硅层上形成源极和漏极区。
搜索关键词: 半导体 存储 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,包括:半导体衬底;在半导体衬底上平行排列的多个位线结构,每个位线结构包括位线和围绕位线的绝缘材料;形成在位线结构之间的空间中的隔离层,以限定预定的有源区;在由位线结构和隔离层围绕的预定的有源区中形成半导体层,半导体层具有与位线结构基本相同的高度;在位线结构、隔离层和半导体层上平行排列多个字线结构,字线结构包括多个字线和围绕字线的绝缘材料;以及在字线结构两侧的半导体层中形成的源极和漏极区。
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