[发明专利]用于半导体加工设备的洁净铝合金有效
| 申请号： | 03123703.7 | 申请日： | 2003-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN100370045C | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 吴舜;克利福德·C·斯托;汪泓;林一莘;布赖恩·韦斯特 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C22C21/00 | 分类号： | C22C21/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杜娟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于制造半导体设备的洁净铝合金，其中该洁净铝合金的至少一部分表面通过阳极化镀层进行保护，所述洁净铝合金包含一些杂质微粒，其中至少85％的所述杂质微粒尺寸小于5μm，少于15％的所述杂质微粒的尺寸在5μm到20μm之间，少于1％的所述杂质微粒的尺寸大于20μm，没有大于40μm的杂质微粒。本发明还公开了一种生产用于半导体加工的抗腐蚀器件的方法，其中所述器件包含一个由洁净铝合金制成的本体，其中所述本体的至少一个要暴露于腐蚀性环境中的表面被覆盖上一层阳极化镀层，其中至少所述本体的覆盖了所述阳极化镀层的所述表面是如上所述的铝合金。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 加工 设备 洁净 铝合金 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体设备的洁净铝合金，其中洁净铝合金的至少一部分表面通过阳极化镀层进行保护，所述洁净铝合金包含一些杂质微粒，其中至少85％的所述杂质微粒尺寸小于5μm，少于15％的所述杂质微粒的尺寸在5μm到20μm之间，少于1％的所述杂质微粒的尺寸大于20μm，没有尺寸大于40μm的杂质微粒，并且其中，作为杂质存在的铁的重量原子浓度在0.001％至0.2％之间，作为杂质存在的硅的重量原子浓度在0.4％至0.8％之间，作为杂质存在的铜的重量原子浓度在0.15％至0.30％之间。
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