[发明专利]薄膜类型的半导体压力传感器有效

专利信息
申请号: 03123715.0 申请日: 2003-05-20
公开(公告)号: CN1460846A 公开(公告)日: 2003-12-10
发明(设计)人: 石王诚一郎 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: G01L9/04 分类号: G01L9/04
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 王琼
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种薄膜类型半导体压力传感器(S1)包括一基本上矩形(110)的半导体基片(10),所述半导体基片具有四个侧边(10a)、一(110)晶面方向的有效表面(11)和一与所述有效表面相反的(110)晶面方向的背面(12)。表面(11,12)中的每个表面被四个侧边(10a)包围,四个侧边(10a)中的每个侧面与大致平行于有效表面(11)的方向的晶轴的夹角大致是45°。基片(10)包括有效表面(11)上的薄膜(14)。通过在背面(12)上形成凹入部分(13),形成所述薄膜(14)。薄膜(14)包括标准电阻(Rc1,Rc2,Rs1,Rs2)。根据标准电阻(Rc1,Rc2,Rs1,Rs2)上电阻的变化,检测压力。
搜索关键词: 薄膜 类型 半导体 压力传感器
【主权项】:
1.一种薄膜类型半导体压力传感器(S1),包括一基本上矩形(110)半导体基片(10),所述半导体基片具有四个侧边(10a)、一(110)晶面方向的有效表面(11)和一与所述有效表面相反的(110)晶面方向的背面(12),其中:表面(11,12)中的每一个表面被四个侧边(10a)包围,四个侧边(10a)中的每个侧面与大致平行于有效表面(11)的方向的晶轴的夹角大致是45°,基片(10)包括在有效表面(11)上的薄膜(14),通过在背面(12)上形成凹入部分(13),形成所述薄膜(14),薄膜(14)包括标准电阻(Rc1,Rc2,Rs1,Rs2),根据标准电阻(Rc1,Rc2,Rs1,Rs2)上电阻的变化,检测压力。
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