[发明专利]低温多晶硅薄膜电晶体的结构

摘要

本发明是关于一种低温多晶硅薄膜电晶体的结构，其包括数个多晶硅层，配置在一基板上，每一多晶硅层中包括有一源极区、一汲极区以及位于源极区以及汲极区之间的一通道区；一闸介电层，覆盖住多晶硅层；一闸极，配置在通道区上方的闸介电层上；一中间介电层，覆盖住闸极；数个源极接触窗/汲极接触窗，位于中间介电层以及闸介电层中，每一源极接触窗/汲极接触窗是与对应的源极区/汲极区电性接触；以及一源极金属层/汲极金属层，形成在中间介电层上，其中，源极金属层/汲极金属层是与源极接触窗/汲极接触窗电性连接。其可解决现有习知大宽长比的低温多晶硅薄膜电晶体在大电流操作时元件容易因电流过大造成劣化，导致元件信赖度不佳问题，而具有非常适于实用的功效。

主权项

1、一种低温多晶硅薄膜电晶体的结构，其特征在于其包括：复数个多晶硅层，配置在一基板上，其中每一该些多晶硅层中包括有一源极区、一汲极区以及位于该源极区以及该汲极区之间的一通道区；一闸介电层，覆盖在该些多晶硅层之上；一闸极，配置在该些通道区上方的该闸介电层上；一中间介电层，形成在该基板的上方，覆盖住该闸极；复数个源极接触窗，位于该中间介电层以及该闸介电层中，每一该些源极接触窗是与对应的其中一该些源极区电性接触；复数个汲极接触窗，位于该中间介电层以及该闸介电层中，每一该些汲极接触窗是与对应的其中一该些汲极区电性接触；一源极金属层，形成在该中间介电层上，其中该源极金属层是与该些源极接触窗电性连接；以及一汲极金属层，形成在该中间介电层上，其中该汲极金属层是与该些汲极接触窗电性连接；其中每一该些源极区/汲极区/通道区以及该闸极是构成一子薄膜电晶体，且每一该些子薄膜电晶体的通道宽度为W，通道长度为L。