[发明专利]氮化硅膜、半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 03123816.5 | 申请日： | 2003-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1458694A | 公开（公告）日： | 2003-11-26 |
| 发明（设计）人： | 高山彻;山崎舜平;秋元健吾 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/78;H01L21/283;H01L21/318;H01L21/84;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,叶恺东 |
| 地址： | 日本神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于应用一种在玻璃衬底上、在应变点之下的温度下形成可用作为栅极绝缘膜或保护膜的高质量的致密的绝缘膜的技术，应用该技术可以实现性能好、可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置在作为沟道长度为0.35～2.5μm的场效应晶体管的栅极绝缘膜中，在结晶半导体膜上经氧化硅膜形成氮化硅膜，该氮化硅膜的含氢浓度在1×1021/cm3以下、含氧浓度为5×1018～5×1021/cm3、且具有对包含7．13％的氟化氢氨(NH4HF2)和15.4％的氟化氨(NH4F)的混合水溶液的腐蚀速度在10nm/min以下的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：在绝缘衬底上形成至少包含一层氮化硅膜的栅极绝缘膜，该氮化硅膜的含氢浓度在1×1021/cm3以下、且具有对包含7.13％的氟化氢氨(NH4HF2)和15.4％的氟化氨(NH4F)的混合水溶液的腐蚀速度在10nm/min以下的特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
