[发明专利]具厚膜多晶硅的静电放电防护元件、电子装置及制造方法有效
| 申请号： | 03123932.3 | 申请日： | 2003-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1549343A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 石安;柯明道;邓至刚;曾当贵;杨胜捷 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/772;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种具有厚膜多晶硅的静电放电防护元件、电子装置及制造方法。此静电放电防护元件为二极管或金属氧化物半导体晶体管，应用于静电放电防护电路以保护电子装置。具有静电放电防护元件的电子装置包含：基板，其具有元件区域及静电放电防护电路区域；第一多晶硅层，形成于基板的元件区域上，具有一第一厚度，以形成一电子元件；及第二多晶硅层，形成于基板的静电放电防护电路区域上，具有一第二厚度，以形成静电放电防护元件。其中第二厚度大于第一厚度，且第二厚度优选地介于约100至500纳米之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具厚膜 多晶 静电 放电 防护 元件 电子 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有厚膜多晶硅的静电放电防护元件，其应用于一静电放电防护电路以保护一电子装置，包括：一基板；以及一多晶硅层，形成于该基板之上，具有一厚度约介于100至500纳米之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于统宝光电股份有限公司，未经统宝光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03123932.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
