[发明专利]半导体处理装置的药液浓度控制装置无效
申请号: | 03124037.2 | 申请日: | 2003-04-24 |
公开(公告)号: | CN1540725A | 公开(公告)日: | 2004-10-27 |
发明(设计)人: | 福井亨 | 申请(专利权)人: | 株式会社海上 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/66 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种半导体处理装置的药液浓度控制装置,它可以使处理用的药液浓度保持不变,同时能保持处理所需要的液面高度。它具有测定药液浓度的浓度测定手段、观测经过浓度反馈控制系统的等待时间后浓度的漂移量的漂移观测手段、计算各药液的补充量的补充量计算手段、预测补充了上述补充量计算手段计算的补充量到达时的浓度的浓度预测手段、使用上述补充量计算手段得到的各药液补充量的总和为定量进行处理的定量补充处理手段、按照上述定量补充处理手段计算的补充量控制药液补充的补充控制手段。根据上述补充量计算手段、上述浓度测定手段和上述漂移观测手段的各测定数据以及上述浓度预测手段的浓度预测数据,相对于预先设定的标准补充量计算各药液的补充量。 | ||
搜索关键词: | 半导体 处理 装置 药液 浓度 控制 | ||
【主权项】:
1.半导体处理装置的药液浓度控制装置,其特征为具有:测定药液浓度的浓度测定手段;观测经过浓度反馈控制系统的等待时间后浓度的漂移量的漂移观测手段;计算药液的补充量的补充量计算手段;使用上述补充量计算手段得到的各药液补充量的总和为预先设定的标准补充量处理各药液的补充量的定量补充处理手段;预测补充了上述定量补充手段处理的补充量到达时的浓度的浓度预测手段;以及根据上述定量补充手段处理的补充量控制药液补充的补充控制手段。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造