[发明专利]基于夹固振膜结构的微声学器件及其制作方法无效
申请号: | 03124224.3 | 申请日: | 2003-05-01 |
公开(公告)号: | CN1452434A | 公开(公告)日: | 2003-10-29 |
发明(设计)人: | 任天令;刘理天;杨轶;张林涛 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H04R7/02 | 分类号: | H04R7/02;H04R7/16;H04R31/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 基于夹固振膜结构的微声学器件及其制作方法,涉及一种微声学器件的结构设计。该器件由硅衬底和设置在其上的复合膜构成,所述的复合膜由底层向上依次为硅层、热氧层、氮化硅层、低温淀积的二氧化硅层、金属钛粘附层、金属铂下电极层、锆钛酸铅铁电薄膜层、金属铂上电极层、等离子化学气相淀积的二氧化硅层、金属铝引线层,该复合膜的四周与硅衬底固结在一起。本发明由于采用了四周夹固的振膜结构,并通过优化设计膜层的尺寸,因而有效克服了微声学器件悬臂振膜结构存在的缺陷,具有结构坚固、性能可靠、成品率高的突出性特点。测试表明,其声学灵敏度在10mV/Pa量级,能够满足移动电话、助听器和其他数字通讯系统音频应用的需要。 | ||
搜索关键词: | 基于 夹固振 膜结构 声学 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于夹固振膜结构的微声学器件,由硅衬底和设置在其上的复合膜构成,其特征在于:所述的复合膜由底层向上依次为硅层、热氧化的二氧化硅层、低压化学气相淀积的氮化硅层、低温淀积的二氧化硅层、金属钛粘附层、金属铂下电极层、锆钛酸铅铁电薄膜层、金属铂上电极层、等离子增强化学气相淀积的二氧化硅层、金属铝引线层,该复合膜的四周通过底层的硅层与硅衬底固结在一起。
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