[发明专利]冷阴极场发射器件和冷阴极场发射显示器及二者制造方法无效
| 申请号： | 03124364.9 | 申请日： | 2003-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1447369A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | 丰田基博;斋藤一郎;岛村敏规;室山雅和 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造冷阴极场发射器件的方法，包括步骤：形成阴极电极，该阴极电极有在其底部露出支撑件的孔，并由不透射曝光光线的材料构成且沿第一方向延伸；形成由透射曝光光线的感光材料构成的绝缘层；形成由感光材料构成并沿着与第一方向不同的第二方向延伸的栅电极；通过从背表面侧曝光形成开口部并露出阴极电极；形成由感光材料构成的电子发射部形成层，通过曝光和显影在阴极电极上形成电子发射部。 | ||
| 搜索关键词： | 阴极 发射 器件 显示器 二者 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造冷阴极场发射器件的方法，包括步骤：(A)在透射曝光光线的支撑件的前表面上形成阴极电极，所述阴极电极有孔，在此孔的底部露出支撑件，所述阴极电极由不透射曝光光线的材料构成并沿第一方向延伸，(B)在整个表面上形成绝缘层，所述绝缘层由透射曝光光线的感光材料构成，(C)在绝缘层上形成栅电极，所述栅电极由感光材料构成并沿着与第一方向不同的第二方向延伸，(D)利用曝光光线、从支撑件的背表面侧、通过作为曝光用掩模的所述孔照射支撑件，从而使在孔上面的部分中的绝缘层和栅电极暴露于曝光光线中，对绝缘层和栅电极进行显影以除去在孔上面的部分中的绝缘层和栅电极，由此在孔上贯穿绝缘层和栅电极形成开口部，在开口部的底部中露出部分阴极电极，所述开口部具有比所述孔更大的直径，(E)至少在开口部的内部形成由感光材料构成的电子发射部形成层，以及(F)利用曝光光线、从支撑件的背表面侧、通过作为曝光用掩模的所述孔照射支撑件，从而将在孔上面的电子发射部形成层暴露于曝光光线中，对电子发射部形成层进行显影以在阴极电极上和孔内部形成由电子发射部形成层构成的电子发射部。
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