[发明专利]具有局部蚀刻栅极的半导体结构及其制作方法

摘要

本发明涉及一种具有局部蚀刻栅极的半导体结构及其制作方法，该方法包括：提供一半导体衬底，在该半导体衬底上具有至少两邻近的栅极结构，其中上述栅极结构由形成在半导体衬底的一栅极介电层、一栅极导电层以及一上盖层所构成，且上述栅极结构的各侧边覆盖有一衬垫层；顺序形成一保护层和一掩膜层在上述栅极结构上；在掩膜层内定义出至少一开口，并蚀刻部分上述开口内的该保护层，以部分露出开口内两邻近栅极结构单一侧边上的衬垫层；蚀刻去除上述部分露出的衬垫层，且可选择地部分去除邻近该些露出衬垫层的栅极导电层；去除掩膜层和保护层；以及形成一间隔壁覆盖在上述栅极结构各侧壁上，以形成多个单一侧边具有局部蚀刻的栅极结构。

主权项

1.一种具有局部蚀刻栅极的半导体结构的制作方法，包括：提供一半导体衬底，在该半导体衬底上具有至少两邻近的栅极结构，其中该些栅极结构由形成在该半导体衬底的一栅极介电层、一栅极导电层以及一上盖层构成，且该些栅极结构的各侧边覆盖有一衬垫层；顺序形成一保护层和一掩模层在该些栅极结构上；在该掩模层内定义出至少一开口，并蚀刻部分该开口内的该保护层，以部分露出该开口内两邻近栅极结构单一侧边上的该衬垫层；蚀刻去除该些部分露出的衬垫层；去除该掩模层和该保护层；以及形成一间隔壁覆盖在该些栅极结构各侧壁上，以形成多个单一侧边具有局部蚀刻的栅极结构。