[发明专利]掺加助剂热压烧结块体钛碳化硅陶瓷材料的方法无效
申请号: | 03125220.6 | 申请日: | 2003-08-01 |
公开(公告)号: | CN1579993A | 公开(公告)日: | 2005-02-16 |
发明(设计)人: | 万青 | 申请(专利权)人: | 万青 |
主分类号: | C04B35/575 | 分类号: | C04B35/575;C04B35/577;C04B35/645 |
代理公司: | 武汉楚天专利事务所 | 代理人: | 石坚 |
地址: | 430062湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种掺加助剂热压烧结块体钛碳化硅陶瓷材料的方法。它涉及块体钛碳化硅陶瓷材料的制备,提供了一种掺加助剂CaF2热压烧结层状钛碳化硅块体材料的方法。本发明的方法是一种原位热压烧结法,其方法的步骤及次序如下:A.摩尔比Ti∶Si∶C=3∶1∶(1.95~2.05)混合,再加总量2~8Wt%的CaF2;B.将A料24~30h的混合;C.将混合均匀的粉料装入石墨模具中,在惰性气氛保护下热压烧结1~8h,温度1200~1500℃,压力20~80MPa;D.在惰性气氛保护下自然冷却。本发明的创新之处在于利用助剂CaF2的加入,降低烧结温度,加快固相反应,提高产物的纯度和致密度。本发明简单可靠、成本低、产率高,适合大规模工业生产。 | ||
搜索关键词: | 助剂 热压 烧结 块体 碳化硅 陶瓷材料 方法 | ||
【主权项】:
1、一种掺加助剂热压烧结块体钛碳化硅陶瓷材料的方法,是一种原位热压烧结法,其特征在于:方法的步骤及次序如下:A、Ti粉、Si粉、C粉按接近化学计量的摩尔比Ti∶Si∶C=3∶1∶(1.95~2.05)混合,再加上占以上混合料总量2~8Wt%的CaF2作反应助剂;B、将A的混合粉料与“混料球”按料、球比1∶1的比例装入混料器中,进行24~30h的混合;C、将从混合器中取出的混合均匀的粉料密实地装入石墨模具中,在惰性气氛保护下热压烧结1~8h,升温速度为5~60℃/min,烧结温度为1200~1500℃,压力为20~80MPa;D、烧结完成后,在惰性气氛保护下,关掉电源,自然冷却。
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