[发明专利]半导瓷厚膜发热材料有效
| 申请号： | 03125351.2 | 申请日： | 2003-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1490376A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 王培英;白铁城 | 申请（专利权）人： | 王培英 |
| 主分类号： | C09K5/14 | 分类号： | C09K5/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430074湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明为一种半导瓷厚膜发热材料，将功能相、粘接相按比例混合，加入有机载体形成厚膜浆料，制成电加热发热材料，涂于基体上，经高温烧结成厚膜电阻。功能相由锗、硅、碳中一种或多种单质元素及多种氧化物：氧化铜、氧化锌、氧化镁、氧化铝、氧化硅、氧化硼、氧化镱、氧化镧、氧化铋。含量按重量比是(0－4.5)％；功能相方阻特性改性剂为氧化铜及稀土元素氧化物：氧化镱、氧化镧。功能相中热稳定性改性剂由氧化铝、氧化硼、氧化铋、氧化硅、氧化镁、氧化锌及由氧化硅、氧化铝、氧化镁制成的堇青石、镁橄榄石。含量按重量比是(30－48)％；功能相材料∶粘接相＝70～50％∶30～50％；固体相材料∶有机载体＝24～88％∶76～12％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导瓷厚膜 发热 材料 | ||
【主权项】：
1、一种半导瓷厚膜发热材料，其特征在于，将功能相、粘接相按比例混合，加入有机载体形成厚膜浆料，制造成具有电加热功能的发热材料，将其涂覆于基体上，经高温烧结后形成厚膜电阻。所说的功能相由锗Ge、硅Si、碳C单质元素及氧化铜CuO、氧化锌ZnO、氧化镁MgO、氧化铝Al2O3、氧化硅SiO2、氧化硼B2O3、氧化镱Y2O3、氧化镧La2O3、氧化铋Bi2O3组成；其中功能相方阻特性改性剂为氧化铜CuO及稀土元素氧化物：氧化镱Y2O3、氧化镧La2O3组成；功能相中热稳定性改性剂由氧化铝Al2O3、氧化硼B2O3、氧化铋Bi2O3、氧化硅SiO2、氧化镁MgO、氧化锌ZnO及由氧化硅SiO2、氧化铝Al2O3、氧化镁MgO制成的堇青石、镁橄榄石组成。
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