[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 03125494.2 | 申请日： | 2003-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1495876A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;纳光明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是消除由布线电阻引起的电压降的影响而使显示装置的图像质量均匀。另外，本发明还有一个目的是消除由用于将驱动电路部分电连接到输入/输出端子的布线引起的时延，以提高驱动电路部分的工作速度。在本发明中，用于实现低布线电阻并经过微加工的含铜布线用作半导体器件的布线，并为TFT提供防止铜扩散的阻挡层导电薄膜作为所述含铜布线的一部分，以形成含铜布线但却没有铜扩散到TFT的半导体层中。含铜布线是一种包括叠层薄膜的布线，所述叠层薄膜至少包括以铜为主要成分的、经过微加工的导电薄膜和阻挡层导电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造包括布线的半导体器件的方法，所述布线至少包括具有阻挡层性质的第一导电薄膜和以铜为主要成分的第二导电薄膜的叠层，所述方法包括以下步骤：在绝缘表面上形成所述第一导电薄膜；利用刻蚀将所述第一导电薄膜加工成所需形状；通过掩模的开口部分在所述第一导电薄膜上形成所述第二导电薄膜；以及利用干刻蚀减小所述第二导电薄膜的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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