[发明专利]制造晶体半导体材料的方法和制作半导体器件的方法无效
| 申请号： | 03125563.9 | 申请日： | 2003-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1495848A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 德拉姆·P·戈塞恩;町田晓夫;中野一志;藤野敏夫;佐藤淳一 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造晶体半导体材料的方法和制作半导体器件的方法。使用从XeCl准分子激光器发出的脉冲激光束(能量束)同样地照射非晶体膜150次，以在部分熔化关于衬底的垂直方向具有{100}取向的晶粒和熔化非晶膜或者具有非{100}取向的晶粒的温度下，加热非晶膜。具有{100}取向的硅晶体新出现在氧化硅膜和液相硅之间，并且彼此随机结合在一起，以新形成具有{100}取向的晶粒。重复这样的晶粒形成步骤，形成具有关于衬底的垂直方向优先在{100}方向上生长的晶粒并因此具有清晰的正方形晶粒边界的晶体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 晶体 半导体材料 方法 制作 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种制造由多个半导体单晶颗粒组成的晶体半导体材料的方法，包含：第一步，在衬底上形成所述半导体的非晶材料或者所述半导体的多晶体材料；以及第二步，在部分熔化关于所述衬底的表面的垂直方向具有特定晶面取向的晶粒并熔化所述非晶材料或者具有不同于所述特定晶面取向的晶面取向的晶粒的温度下，通过多次同样地热处理所述非晶材料或者所述多晶体材料来形成晶体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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