[发明专利]蚀刻液的再生方法、蚀刻方法和蚀刻系统有效
申请号: | 03125565.5 | 申请日: | 2003-09-17 |
公开(公告)号: | CN1495865A | 公开(公告)日: | 2004-05-12 |
发明(设计)人: | 伊豆田信彦;村田贡 | 申请(专利权)人: | m.FSI株式会社 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/306;C23F1/16;B01J19/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 范明娥;巫肖南 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 公开了一种由磷酸溶液组成并在蚀刻槽内用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液的再生方法。因为蚀刻,使蚀刻液含有硅化合物。根据该再生方法,从蚀刻槽中抽出其中含有硅化合物的蚀刻液。然后向抽出的蚀刻液中加入水以降低蚀刻液中磷酸的浓度到80-50wt%。由于磷酸浓度降低,导致硅化合物沉淀。从蚀刻液中除去这样沉淀的硅化合物。还公开了一种使用该再生方法的蚀刻方法以及适于实施该再生方法和蚀刻方法的蚀刻系统。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 再生 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种由磷酸溶液组成并在蚀刻槽内用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液的再生方法,该方法包括以下步骤:从蚀刻槽内抽出所述的蚀刻液,该蚀刻液含有因蚀刻形成的硅化合物,并向抽出的蚀刻液中加入水以降低所述蚀刻液中的磷酸浓度到80-50wt%;和从所述蚀刻液中除去因磷酸浓度降低而在蚀刻液中所沉淀的硅化合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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