[发明专利]一种半导体产品可靠性的测量方法有效
| 申请号： | 03126494.8 | 申请日： | 2003-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1604296A | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 刘传玺 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王占梅 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体产品可靠性的测量方法。该方法是将一半导体芯片置于一强制温度(stress temperature)的环境内以一测量时间并施加一强制电压(stress voltage)，然后量测该半导体芯片上的MOS晶体管的起始电压(threshold voltage)变化值，以建立一组实验数据。最后利用该组实验数据以及一起始电压变化值(ΔVth)与时间(t)的关系模型以描绘该MOS晶体管起始电压变化值的关系曲线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 产品 可靠性 测量方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体产品可靠性的测量方法，该方法包含有下列步骤：提供一半导体芯片，该半导体芯片上包含多个金属氧化半导体晶体管；于一测量时间内将该半导体芯片置于一强制温度的环境下，同时对该MOS晶体管施加一强制电压；于该测量时间内定义多个量测时间点，并且于各该量测时间点量测该MOS晶体管的起始电压变化值，以建立一组实验数据；提供一起始电压变化值ΔVth与时间t的关系模型；以及利用该组实验数据以及该关系模型描绘一关系曲线以预测该MOS晶体管于超过该测量时间长度时表现的起始电压变化值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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