[发明专利]硒化镉及碲化镉纳米棒的制备方法

摘要

本发明属于硒化镉及碲化镉纳米棒的制备方法。本方法采用氧化镉为单体，以十四酸为配体，通过控制纳米晶的成核及生长过程，在190℃～230℃温度下将硒或碲前体溶液注入到镉前体溶液中，进而在160～180℃温度下生长制备成纳米棒。本发明合成的硒化镉和碲化镉纳米棒产率高、尺寸分布窄，形状规整且实验的可重复性强。实验条件温和，制备成本低廉，合成路线简单，环境污染小，制备的硒化镉和碲化镉纳米棒可作为基质材料制备成纳米器件，在光电子领域及生物传感器等都有非常好的应用前景。

主权项

1.一种硒化镉和碲化镉纳米棒的制备方法，采用的单体为：氧化镉CdO和硒粉Se或氧化镉CdO和碲粉Te；配体为：十四酸；表面活性剂为：三辛基氧化磷；溶剂为：三丁基磷或三辛基磷；制备步骤如下：(1)硒化镉纳米棒的制备单体氧化镉与硒粉的重量比为CdO∶Se＝2∶5～5∶1，将硒粉溶于三丁基磷中配制成硒前体溶液，硒粉与溶剂三丁基磷的重量比为Se∶TBP＝6∶5～4∶1，氧化镉与十四酸的重量比为CdO∶MA＝1∶5～3∶5，配体十四酸与表面活性剂三辛基氧化磷的重量比为MA∶TOPO＝1∶5～1∶2，先将称量好的氧化镉、十四酸及三辛基氧化磷置于反应瓶中，加热至190℃～230℃，待混合物熔化后开始搅拌，然后注入硒前体溶液，反应2～5分钟后降温，生长温度为160～180℃，反应8～16小时后停止反应，待溶液冷却后以甲苯和甲醇进行洗涤、离心，干燥，制得的纳米棒直径为3～15nm，长径比为2～10；(2)碲化镉纳米棒的制备单体氧化镉与碲粉的重量比为CdO∶Te＝1∶4～3∶1，将碲粉溶于三辛基磷中配制成碲前体溶液，碲粉与三辛基磷的重量比为Te∶TOP＝1∶30～1∶10，氧化镉与十四酸的重量比为CdO∶MA＝1∶10～3∶10，配体十四酸与表面活性剂三辛基氧化磷的重量比为MA∶TOPO＝1∶20～1∶5，先将称量好的氧化镉、十四酸及三辛基氧化磷置于反应瓶中，加热至190℃～230℃，待混合物熔化后开始搅拌，然后注入配制好的碲前体溶液，反应2～5分钟后降温，生长温度为160～180℃，在此温度下反应8～16小时后停止反应，待溶液冷却后以甲苯和甲醇进行洗涤、离心，干燥，制得的碲化镉纳米棒直径为3～10nm，长径比为2～8。