[发明专利]水溶性CdTe纳米晶的制备方法及其制备装置

摘要

本发明的水溶性CdTe纳米晶的制备方法及其制备装置属一种半导体纳米材料的制备方法及装置。方法有配制镉－巯基复合物——制备碲源——回流的工艺过程。制备碲源是碲粉用还原剂NaBH₄还原得到NaHTe，在抽真空后通氮气加水30～80℃条件下反应10～40分钟。装置包括三颈瓶1、回流冷凝管2、加热装置3、恒压漏斗4、通氮管5、卸料阀6、连通管7、温度计8。恒压漏斗4中装镉－巯基复合物，三颈瓶1中制备碲源，碲源生成后打开卸料阀6将镉－巯基复合物加入到碲源中。本发明使CdTe纳米晶制备成本降低，效率提高，设备简单，操作方便，重复性好、毒性较小，也为工业化生产提供了一种实用、可靠的方法。

主权项

1、一种水溶性CdTe纳米晶的制备方法，包括配制镉-巯基复合物——制备碲源——回流的工艺过程，配制镉-巯基复合物是将镉盐溶于水，加入巯基化合物混合均匀，其特征是，所说的配制镉-巯基复合物是在PH值6～11条件下进行的；所说的制备碲源是碲粉用还原剂NaBH4还原得到NaHTe，即在容器中加入碲粉和NaBH4，抽真空通氮气加水，在0～80℃条件下反应10～480分钟；所说的回流是在碲源NaHTe生成后，将镉-巯基复合物加入到碲源中混合均匀，再加热使体系温度为90～100℃条件下回流5～1500分钟；原料镉盐、碲源、巯基化合物按摩尔比是Cd2+∶HTe∶巯基化合物＝1∶(0.7～0.1)∶(1.5～5)。