[发明专利]抛光组合物有效
| 申请号： | 03127205.3 | 申请日： | 2003-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1497030A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 大野晃司;堀川智代;酒井谦儿;伊奈克芳 | 申请（专利权）人： | 不二见株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/18 | 分类号： | C09G1/18;B24B1/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种减少磨蚀且用于半导体元件制造工艺的最终抛光工序中的抛光组合物。该抛光组合物含有胶体二氧化硅、高碘酸化合物、氨水、硝酸铵和水，且它的pH值在1.8～4.0之间。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 组合 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体元件制造工艺的最终抛光工序中的抛光组合物，其中，所述半导体元件包括一个具有其上形成沟槽的表面的绝缘层，和形成在绝缘层上的导电层；所述抛光组合物包括：以大于50g/l、小于160g/l的量混合在所述抛光组合物中的胶体二氧化硅；高碘酸化合物；氨；硝酸铵；以及水，其特征在于，所述抛光组合物具有1.8～4.0的pH值范围。
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