[发明专利]装有包括多孔结构电介质薄膜的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03127221.5 | 申请日： | 2003-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1497683A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 小出辰彦 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体基片上装有多孔MSQ薄膜14，并在多孔MSQ薄膜14的顶部形成非多孔HSQ薄膜17。共同使用含有Si，O和C的相同的薄膜材料形成多孔MSQ薄膜14和非多孔MSQ薄膜17。 | ||
| 搜索关键词： | 装有 包括 多孔 结构 电介质 薄膜 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基片，以及电介质薄膜，它包括相接触的多孔薄膜和非多孔薄膜，又形成在所述半导体基片上；其中所述多孔薄膜和非多孔薄膜基本上是相同的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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