[发明专利]微细图形形成材料、微细图形形成法及半导体装置的制法无效
| 申请号： | 03127424.2 | 申请日： | 2003-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1495525A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 石桥健夫;丰岛利之;寺井护;樽谷晋司 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G03F7/038 | 分类号： | G03F7/038;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 钟守期;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供超过光刻技术中的曝光波长的极限而可形成微细图形的微细图形形成材料、使用该材料的微细图形的形成方法及半导体装置的制造方法。所使用的微细图形形成材料，其特征在于，含有可溶于水或碱的树脂、和频哪醇、及水或水与水溶性有机溶剂的混合溶剂，在可供给酸的抗蚀剂图形的上面形成，在与抗蚀剂图形接触的部分通过来自该抗蚀剂图形的酸引起极性变化，形成不溶于水或碱的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 微细 图形 形成 材料 半导体 装置 制法 | ||
【主权项】：
1.一种微细图形形成材料，其特征是，它是含有在产生酸的抗蚀剂图形的上面形成的极性变化材料、和水或水与水溶性有机溶剂的混合溶剂的极性变化材料，前述极性变化材料可溶于水或碱，在前述极性变化材料与前述抗蚀剂图形接触的部分受到来自前述抗蚀剂图形的酸所引起的极性变化而形成不溶于水和碱的至少一方的不溶化膜。
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