[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及其结构

摘要

本发明提供了一种位于基板上的薄膜晶体管。薄膜晶体管至少包含：缓冲层，位于基板上；第一多晶硅层和第二多晶硅层，位于缓冲层上，其中第一多晶硅层具有第一栅极区域、轻掺杂区域和第一重掺杂区域，第二多晶硅层具有第二栅极区域和第二重掺杂区域，第一栅极区域外部依序围绕轻掺杂区域和第一重掺杂区域，而第二栅极区域外部围绕第二重掺杂区域；漏极/源极，位于第一重掺杂区域和第二重掺杂区域中；轻掺杂，位于轻掺杂区域中；栅极氧化层，位于第一多晶硅层、第二多晶硅层和缓冲层上；第一栅极和第二栅极，位于栅极氧化层上，并分别位于第一栅极区域和第二栅极区域的上方。

主权项

1.一种在基板上形成第一型晶体管和第二型晶体管的方法，其中第一型晶体管具有第一栅极区域、轻掺杂区域与第一重掺杂区域，第二型晶体管具有第二栅极区域与第二重掺杂区域，第一栅极区域外部依序围绕轻掺杂区域与第一重掺杂区域，而第二栅极区域外部围绕第二重掺杂区域，该方法至少包括：形成第一多晶硅层和第二多晶硅层到该基板上，其中第一多晶硅层和第二多晶硅层对应于第一型晶体管和第二型晶体管；形成第一重掺杂到第一重掺杂区域中，其利用遮盖第一栅极区域、轻掺杂区域和第二多晶硅层的光致抗蚀剂为屏蔽，并通过注入第一重掺杂质而形成；沉积栅极氧化层到第一多晶硅层、第二多晶硅层和基板上；形成轻掺杂到该轻掺杂区域中，其中利用遮盖第一栅极区域和第二多晶硅层的光致抗蚀剂为屏蔽，并通过注入第一轻掺杂质而形成；形成第二重掺杂到该第二重掺杂区域中，其中利用遮盖第一多晶硅层和第二栅极区域的光致抗蚀剂为屏蔽，并通过注入第二重掺杂质而形成；活化第一重掺杂、轻掺杂和第二重掺杂，其中，光线照射的方向与注入离子的方向平行；以及形成第一栅极和第二栅极到栅极氧化层上，并且分别位于第一多晶硅层和第二多晶硅层的上方。