[发明专利]Ag基合金薄膜及Ag基合金薄膜形成用溅射靶有效
| 申请号： | 03127461.7 | 申请日： | 2003-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1483852A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 田内裕基;高木胜寿;中井淳一;佐藤俊树 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及Ag合金膜，尤其适合用于光信息记录介质领域中具有高导热系数、高反射率、高耐久性的光信息记录介质用反射膜和半透过反射膜、耐Ag凝集性优异的电磁波屏蔽用膜、反射型液晶显示元件等背面光反射膜。本发明Ag合金膜是由Bi和/或Sb合计含有0.005～10％(指原子％)的Ag合金膜构成。本发明进而涉及用于这种Ag合金膜的成膜的溅射靶。 | ||
| 搜索关键词： | ag 合金 薄膜 形成 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种Ag基合金薄膜，其特征在于：其中含有至少一种选自由Bi和Sb构成的组中的元素，Bi和Sb的含量合计为0.005～10原子％。
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