[发明专利]半导体制造装置无效

专利信息
申请号: 03127493.5 申请日: 2003-06-17
公开(公告)号: CN1484283A 公开(公告)日: 2004-03-24
发明(设计)人: 桥本隆宏 申请(专利权)人: 夏普公司
主分类号: H01L21/324 分类号: H01L21/324;H01L21/477
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李贵亮;杨梧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体制造装置,其具有加工容易且机械强度高的形状的炉芯管,并对被处理物进行加热的处理。该装置包括:炉芯管(21),其轴线方向两端部(22,23)敞开,并形成收容半导体晶片(24)的炉空间(29);两个盖部(26,28),其与炉芯管(21)分开地设置在炉芯管(21)的轴线方向两端部(22,23),塞堵炉芯管(21)的轴线方向一端部(22),分别形成与炉空间(29)连通的孔(25,27)。由于具有与炉芯管(21)分开的各盖部(26,28),则可在不同的工序中制造各盖体(26,28)和炉芯管(21)。并且,由于在各盖体(26,28)上形成孔(25,27),即使孔是复杂的形状,也能容易地制造。同时,由于不必在炉芯管(21)上设置用于形成孔的支管部,则可使炉芯管的加工容易且强度提高。
搜索关键词: 半导体 制造 装置
【主权项】:
1.一种半导体制造装置,对被处理物进行热处理,形成半导体,其特征在于:其包括,炉芯管(21),其轴线方向两端部(22,23)敞开,形成收容被处理物(24)的炉空间(29);第1盖部(26),其与炉芯管(21)分开地设置在炉芯管(21)的轴线方向一端部(22),可开闭地塞堵炉芯管(21)的轴线方向一端部(22),形成与炉空间(29)连通的孔(25);第2盖部(28),其与炉芯管(21)分开地设置在炉芯管(21)的轴线方向另一端部(23),塞堵炉芯管(21)的轴线方向另一端部(23),形成与炉空间(29)连通的孔(27)。
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