[发明专利]半导体制造装置无效
申请号: | 03127493.5 | 申请日: | 2003-06-17 |
公开(公告)号: | CN1484283A | 公开(公告)日: | 2004-03-24 |
发明(设计)人: | 桥本隆宏 | 申请(专利权)人: | 夏普公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/477 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李贵亮;杨梧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体制造装置,其具有加工容易且机械强度高的形状的炉芯管,并对被处理物进行加热的处理。该装置包括:炉芯管(21),其轴线方向两端部(22,23)敞开,并形成收容半导体晶片(24)的炉空间(29);两个盖部(26,28),其与炉芯管(21)分开地设置在炉芯管(21)的轴线方向两端部(22,23),塞堵炉芯管(21)的轴线方向一端部(22),分别形成与炉空间(29)连通的孔(25,27)。由于具有与炉芯管(21)分开的各盖部(26,28),则可在不同的工序中制造各盖体(26,28)和炉芯管(21)。并且,由于在各盖体(26,28)上形成孔(25,27),即使孔是复杂的形状,也能容易地制造。同时,由于不必在炉芯管(21)上设置用于形成孔的支管部,则可使炉芯管的加工容易且强度提高。 | ||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体制造装置,对被处理物进行热处理,形成半导体,其特征在于:其包括,炉芯管(21),其轴线方向两端部(22,23)敞开,形成收容被处理物(24)的炉空间(29);第1盖部(26),其与炉芯管(21)分开地设置在炉芯管(21)的轴线方向一端部(22),可开闭地塞堵炉芯管(21)的轴线方向一端部(22),形成与炉空间(29)连通的孔(25);第2盖部(28),其与炉芯管(21)分开地设置在炉芯管(21)的轴线方向另一端部(23),塞堵炉芯管(21)的轴线方向另一端部(23),形成与炉空间(29)连通的孔(27)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造