[发明专利]电容元件及其制造方法无效
| 申请号： | 03127518.4 | 申请日： | 2003-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1484312A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 藤井英治;伊东丰二 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/82;G11C11/21;G11C11/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容元件及其制造方法。本发明的电容元件，由形成在基片(11)上的下部电极(15)、铁电薄膜(16)和上部电极(17)构成，其特征在于：铁电薄膜(16)用反应速度法进行成膜，下部电极(15)的膜厚为100nm以下，而且下部电极(15)的膜厚的偏差为10％以内。因此，能提供铁电薄膜成分偏差减小了的电容元件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电容元件，由形成在基片上的下部电极、铁电薄膜和上部电极构成的电容元件，其特征在于：所述铁电薄膜由用反应速度法成膜的铁电薄膜构成，所述下部电极的膜厚为100nm以下，而且所述下部电极膜厚的偏差为10％以内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
