[发明专利]纳米线交叉结构的制备方法以及由该方法制得的结构的应用无效
| 申请号： | 03127566.4 | 申请日： | 2003-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1483662A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | J·维泽尔斯;W·E·福德;安田章夫 | 申请（专利权）人： | 索尼国际（欧洲）股份有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王景朝;罗才希 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米线交叉结构的制备方法，包括：(a)提供一基体；(b)在其上沉积包含具有等距的核酸－催化剂结合位置的核酸－嵌段共聚物和为特定地结合至共聚物核酸部分上而官能化的至少一个催化剂纳米颗粒的复合结构；(c)将定向气流和/或交变电场施加至复合结构上；和(d)应用化学气相沉积技术。所述结构的用途以及通过所述方法或获得的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 交叉 结构 制备 方法 以及 法制 应用 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线交叉结构的制备方法，包括：(a)提供基体；(b)在其上沉积包含具有等距的核酸-催化剂结合位置的核酸嵌段共聚物和为特定地结合至该共聚物的核酸部分上而官能化的至少一个催化剂纳米颗粒的复合结构；(c)将定向气流和/或交变电场施加至该复合结构上；和(d)应用化学气相沉积技术。
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