[发明专利]半导体集成电路器件无效
申请号: | 03127772.1 | 申请日: | 2003-08-12 |
公开(公告)号: | CN1484245A | 公开(公告)日: | 2004-03-24 |
发明(设计)人: | 浅尾吉昭 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15;H01L43/08 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 半导体集成电路器件包含:根据第一列选择信号(CSL0)把第一位线群(2-0)电连接在数据线群(1)上的第一列选通电路(CG0)、根据第二列选择信号(CSL1)把第二位线群(2-1)电连接在数据线群(1)上的第二列选通电路(CG1)、与位线(BL)交叉的字线(WWL)、电连接在位线(BL)上并且由字线(WWL)选择的包含磁阻元件(12)的存储单元(10)。磁阻元件(12)的自旋方向从平面观察垂直于位线(BL)。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路器件,包括:具有多条数据线的数据线群;具有多条位线的第一位线群;根据第一列选择信号,把所述第一位线群电连接在所述数据线群上的第一列选通电路;包含多条位线的第二位线群;根据与所述第一列选择信号不同的第二列选择信号,把所述第二位线群电连接在所述数据线群上的第二列选通电路;与所述第一、第二位线群中包含的多条位线交叉的多条字线;电连接在所述第一、第二位线群中包含的多条位线上,并且由所述多条字线选择的包含磁阻元件的多个存储单元;其中:所述磁阻元件的自旋方向从平面观察垂直于所述第一、第二位线群中包含的多条位线。
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