[发明专利]单层静电成像感光体有效
申请号: | 03127796.9 | 申请日: | 2003-06-07 |
公开(公告)号: | CN1484100A | 公开(公告)日: | 2004-03-24 |
发明(设计)人: | 横田三郎;李桓求;连卿烈;金范俊;李南贞 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03G5/04 | 分类号: | G03G5/04;G03G15/00;G03G15/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 贾静环;宋莉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种单层静电成像感光体,它包括导电载体上的具有至少一种电荷发生材料、一种空穴转移材料、一种电子转移材料和一种粘合剂的光敏层。光敏层包含一种由空穴转移材料和电子转移材料形成的特定电荷转移络合物(CT-络合物)。 | ||
搜索关键词: | 单层 静电 成像 感光 | ||
【主权项】:
1.一种单层静电成像感光体,包括:在导电载体上的具有至少电荷发生材料、空穴转移材料、电子转移材料和粘合剂的光敏层,其中光敏层包括由分子式1表示的空穴转移材料和分子式2表示的电子转移材料形成的电荷转移络合物(CT-络合物):分子式1其中R1至R5都各自选自包括下列的组:氢原子、C1-C20任选取代的烷基、C6-C20任选取代的芳基、C1-C20任选取代的烷氧基和C8-C20任选取代的苯乙烯基;分子式2其中A和B都各自选自氢原子、卤原子、C2-C20任选取代的烷氧羰基、和C2-C20的烷氨羰基,其中芳环上的氢原子可以被卤素原子任选取代。
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