[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 03127859.0 | 申请日： | 2003-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1507031A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 北泽雅志;黑井隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于：在含有杂质的元件隔离膜中，通过在形成该元件隔离膜后形成其它构件时的热处理，提供能够抑制杂质从该元件隔离膜向外部扩散的半导体器件及其制造方法。在通过将元件隔离膜2充填到在衬底1的表面所形成的沟槽12内而形成的元件隔离结构中，在元件隔离膜2内含有杂质，制成该杂质浓度在元件隔离膜的顶部比底部低的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，它是在衬底的表面所形成的沟槽内充填了元件隔离膜的、具有沟槽型元件隔离结构的半导体器件，其特征在于：上述元件隔离膜中含有杂质，其杂质浓度从上述元件隔离膜的底部到顶部连续地降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
