[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种适于在1个半导体衬底上形成存储器单元用的晶体管和高耐压电路部用的晶体管，并且，用去除共用接头部分的侧壁绝缘膜的结构使电气特性恶化小的半导体器件及其制造方法。往共用接头18a形成处中的侧壁绝缘膜被去除的部分追加注入杂质而形成活性层16。另外，在高耐压电路部AR1层积绝缘膜而形成较宽的侧壁绝缘膜10d。由此，可以在存储器单元部AR2用的MOS晶体管中，使侧壁绝缘膜10a的形成宽度小，在高耐压电路部用的MOS晶体管中，使侧壁绝缘膜10d的形成宽度大。这样，在高耐压电路部AR1中，可以将源极/漏极活性层形成在更远离栅极的位置。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，具有：(a)在半导体衬底上形成导电膜的工序；(b)利用光刻技术和蚀刻技术而使上述导电膜图形化的工序；(c)所述半导体衬底的表面中，往已图形化的所述导电膜的附近注入杂质，形成第1活性层的工序；(d)在所述半导体衬底的表面形成层间绝缘膜的工序；(e)利用光刻技术和蚀刻技术，在所述层间绝缘膜内形成露出所述第1活性层和所述导电膜两者的接触孔的工序；(f)往所述接触孔内露出的所述半导体衬底的表面注入杂质，形成第2活性层的工序。