[发明专利]铝镓铟砷多量子阱超辐射发光二极管有效
| 申请号： | 03128017.X | 申请日： | 2003-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1549352A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 张军;常进;刘应军;甘毅;李林松 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘志菊 |
| 地址： | 430074湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多量子阱超辐射发光二极管，采用铝镓铟砷/铟磷AlGaInAs/InP材料，有源区的发光波长范围是1.25μm到1.65μm，包括在n型铟磷InP衬底上依次有下包层，上下分别限制层和位于其中的多量子阱有源区，其中阱的厚度为5－10nm，有源区阱垒的总厚度为10－500nm，在上限制层之上依次为上包层，腐蚀截止层，光限制层和欧姆接触层。采用倒台形脊波导结构，倒台形脊波导两侧是聚合物平面掩埋层，其上是平面电极。其中波导方向与超辐射发光二极管SLED出光端面的夹角θ为75－85°。两出光端面镀10－3～10－4反射率的高增透多层光学介质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 铝镓铟砷 多量 子阱超 辐射 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种多量子阱超辐射发光二极管，采用有源区为应变多量子阱结构的材料，其特征是采用铝镓铟砷/铟磷AlGaInAs/InP材料，有源区的发光波长范围是1.25μm到1.65μm，具体包括在n型铟磷InP衬底上依次有下包层，上下分别限制层和位于其中的多量子阱有源区，其中阱的厚度为5-10nm，有源区域阱垒的总厚度为10-500nm，在上限制层之上依次为上包层，腐蚀截止层，光限制层，欧姆接触层和电极，光限制层中心区域构成波导结构。
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