[发明专利]化学沉淀法制备稳定的纳米氧化亚铜晶须的方法无效

专利信息
申请号: 03128315.2 申请日: 2003-07-11
公开(公告)号: CN1490439A 公开(公告)日: 2004-04-21
发明(设计)人: 余颖;杜飞鹏;杨胜钧;李家麟 申请(专利权)人: 华中师范大学
主分类号: C30B29/62 分类号: C30B29/62;C30B29/16
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人: 张安国
地址: 430079湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种化学沉淀法制备稳定的纳米氧化亚铜(Cu2O)晶须的方法。该方法利用葡萄糖或水合肼或盐酸羟胺或硼氢化钠或亚硫酸盐作还原剂,在水性介质中将二价铜离子还原为氧化亚铜(Cu2O),生产微米或纳米粒径的粉体或微米级立方、六边形晶体的技术,并在其体系中加入多量Cu2O的结晶生长抑制剂,控制反应时间和反应条件,最后用抗氧化剂处理后,制备得宽度<50nm,长度<500nm的稳定的Cu2O棒状和/或针状晶须。
搜索关键词: 化学 沉淀 法制 稳定 纳米 氧化亚铜 方法
【主权项】:
1、一种化学沉淀法制备稳定的纳米氧化亚铜(Cu2O)晶须的方法,其特征是制备步骤为(1)将二价铜盐溶解于碱性溶液中,(2)加入Cu2O结晶生长抑制剂,充分搅拌溶解,其抑制剂为聚乙烯醇、十六烷基三甲基溴化胺、聚乙烯吡咯烷铜及其衍生物、聚乙二醇、葡萄糖、辛基溴化铵、酒石酸钾钠、苯并三唑中任一种,(3)加入还原剂水合肼或葡萄糖或盐酸羟胺或硼氢化钠或亚硫酸盐,并控制反应液中铜盐的浓度为1×10-5-4.0M、碱的浓度为1×10-5 -3.0M、抑制剂的浓度为1×10-4-1.0M,还原剂的浓度为1×10-7-1.0M、反应温度为0-50℃、反应时间为1-12小时,制得径向尺寸<50nm、轴向尺寸<500nm的Cu2O棒状和/或针状晶须,(4)将步骤(3)中所得的晶须在抗氧化剂溶液中浸泡稳定≥24小时,分离、洗涤去杂质后,即得到稳定的纳米氧化亚铜(Cu2O)晶须。
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