[发明专利]用于LCD或OELD的具有LDD区的结晶硅TFT板无效
| 申请号： | 03128561.9 | 申请日： | 2003-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN1549229A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李石运;印泰炯 | 申请（专利权）人： | PT普拉斯有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/00 | 分类号： | G09G3/00;G09G3/36;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 崔晓光 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 用于LCD或OELD的结晶硅TFT板。本发明涉及用于LCD或OELD的结晶硅TFT板。根据本发明，利用MILC方法，在TFT板的像素区形成包括结晶硅薄膜的像素晶体管和存储电容器，而且还在像素晶体管的沟道区周围同时形成具有1E14/cm2或更低杂质浓度的低浓度掺杂区，以有效降低像素晶体管的截止电流。因此，本发明的优点在于，可以利用较简单方法，同时制造TFT板的像素区和驱动电路区所需的半导体器件，因此，可以同时分别满足像素区和驱动电路区要求的截止电流特性和导通电流特性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 lcd oeld 具有 ldd 结晶 tft | ||
【主权项】：
1.一种用于TFT LCD或OELD的结晶硅薄膜晶体管(TFT)板，该薄膜晶体管板包括：透明基板，包括具有多个单元像素的像素区和驱动电路区；至少一个像素晶体管，形成在基板中的像素区的每个单元像素上，而且分别包括结晶硅有源层、栅绝缘层以及栅电极，所述有源层利用金属诱发横向晶化(MILC)方法被晶化；存储电容器，形成在基板的每个单元像素上；以及多个驱动晶体管，形成在基板的驱动电路区中，而且分别包括利用MILC方法晶化的结晶硅有源层、栅绝缘层以及栅电极，其中在至少一个像素晶体管的沟道区周围形成被注入低浓度杂质的的低浓度掺杂区或未被注入杂质的偏移结。
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