[发明专利]有模拟电容器的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种有模拟电容器的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括形成在半导体衬底预定区的底板电极，以及其上的具有由底板电极重叠的区域的上板电极。用金属化合物形成上和底板电极。电容器介电层夹在底和上板电极之间。底和上电极插塞通过层间介电层连接到底和上板电极。按本发明方法，在半导体衬底预定区形成底板电极。形成上板电极以具有由底板电极重叠的区域，并形成夹在底和上板电极之间的电容器介电层。在形成有上板电极的半导体衬底的整个表面形成层间介电层。形成通过层间介电层连接到底和上板电极的底和上电极插塞。用金属化合物形成底和上板电极。

主权项

1.一种半导体器件，包括：底板电极，设置在半导体衬底的预定区域上；上板电极，被部分底板电极重叠；电容器介电层，设置在底板电极与上板电极之间；形成在上板电极和底板电极上的层间介电层；以及底电极插塞和上电极插塞，它们通过层间介电层分别连接到底板电极和上板电极，其中，上板电极和底板电极用金属化合物形成。