[发明专利]烷基VA族金属化合物无效
| 申请号： | 03128658.5 | 申请日： | 2003-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN1445233A | 公开（公告）日： | 2003-10-01 |
| 发明（设计）人： | D·V·谢奈－卡特哈特;M·B·鲍沃;A·阿曼希彦;R·L·小迪卡洛 | 申请（专利权）人： | 希普雷公司 |
| 主分类号： | C07F9/28 | 分类号： | C07F9/28;C07F9/70;C07F9/00;C23C16/06;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭建新 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了通过三卤化VA族金属与有机锂试剂或式RnM1X3－n的化合物反应以高收率和高纯度制备二卤化单烷基VA族金属化合物的方法，其中R为烷基，M1为IIIA族金属，X为卤素且n为1至3的整数，这样的二卤化单烷基VA族金属化合物基本上不含含氧杂质，醚溶剂及金属杂质。通过将该二卤化单烷基VA族金属化合物还原可容易地以高收率和高纯度生产出二氢化单烷基VA族金属化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 烷基 va 金属 化合物 | ||
【主权项】：
1.一种制备二卤化单烷基VA族金属化合物的方法，其包括以下步骤：将三卤化VA族金属与一试剂反应，该试剂选自(C1-C10)烷基锂化合物和式RnM1X3-n的化合物，其中各R为(C1-C10)烷基，氨取代(C1-C10)烷基，芳基或取代芳基M1为IIIA族金属，X为卤素而n为1至3的整数，反应在无氧取代的有机溶剂中进行。
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