[发明专利]可避免产生扭曲效应的浅沟道隔离组件的制造方法

摘要

本发明系揭示一种可避免产生扭曲效应的浅沟道隔离组件的制造方法，其是在一半导体结构上形成一图案化掩膜层，并以此为掩膜在半导体结构中蚀刻形成浅沟道；在半导体结构上依序形成一衬氧化层及一掺杂介电层，使其覆盖在浅沟道表面；接着再形成一层氧化物于半导体结构上而填满该浅沟道，此时掺杂介电层中的掺质会扩散至该浅沟道周围的半导体结构中而形成离子掺杂区，并可藉此提高因角落结构凹缩所造成的启始电压的下降，以避免产生扭曲效应。

主权项

1、一种可避免产生扭曲效应的浅沟道隔离组件的制造方法，其系包括下列步骤：提供一半导体结构，其上形成有一图案化掩膜层；以该图案化掩膜层为掩膜，蚀刻部分该半导体结构，以形成浅沟道；在该半导体结构上形成一衬氧化层，使其覆盖该浅沟道表面；再在衬氧化层表面形成一掺杂介电层，使其覆盖在该浅沟道上；及形成一层氧化物于该半导体结构上，使其填满该浅沟道，此时掺杂介电层中的掺质会扩散至该浅沟道周围的半导体结构中，而后去除该半导体结构表面多余的该氧化物与该图案化掩膜层，以形成沟道式隔离组件。