[发明专利]多方向漏电流路径的测试结构无效
| 申请号： | 03128826.X | 申请日： | 2003-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1548969A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡孟锦;蒲兴华;姜宁;何军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种测试结构，用以测试多方向的漏电流路径，其具有一第一导电性的一第一阱位于一底材中，并且一第一掺杂区位于第一阱中，其掺杂浓度高于第一阱；一第一接触位于第一掺杂区上并接触第一掺杂区，其具有一第一部分平行于第一方向，与一第二部分平行于第二方向；具有一第二导电性的第二掺杂区位于第一阱中，并且隔离于第一掺杂区；其中在第三方向上，每一第二掺杂区同时相邻但隔离于第一部分与第二部分；第二接触位于对应第二掺杂区上，并且每一第二接触对应的每一第二掺杂区；利用形成第一接触与第二掺杂区的相对偏移位置，使得两者部分重迭，即可测试多种方向的漏电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 多方 漏电 路径 测试 结构 | ||
【主权项】：
1.一种测试结构，用以测试多方向的漏电流路径，其中多方向包含一第一方向与一第二方向，该第一方向不同于该第二方向，其特征在于，该测试结构包含：一第一阱位于一底材中，该第一阱具有一第一导电性；一第一掺杂区位于该第一阱中，该第一掺杂区具有该第一导电性，并且该第一掺杂区的掺杂浓度高于该第一阱；一第一接触位于该第一掺杂区上，并且接触该第一掺杂区，该第一接触具有一第一部份平行于该第一方向，与一第二部分平行于该第二方向；复数个第二掺杂区位于该第一阱中，并且隔离于该第一掺杂区，其中在一第三方向上，每一该第二掺杂区同时相邻但隔离于该第一部分与该第二部分，及该复数个第二掺杂区具有一第二导电性，该第二导电性不同于该第一导电性；及复数个第二接触位于该复数个第二掺杂区上，并且每一该第二接触对应于每一该第二掺杂区。
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