[发明专利]液相外延制备铁电厚膜的方法无效
| 申请号： | 03129057.4 | 申请日： | 2003-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN1472782A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 姚忻;曾新华 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;H01L41/24;C30B19/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 毛翠莹 |
| 地址： | 20003*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种液相外延制备铁电厚膜材料的方法，首先，按照通常铌镁酸铅－钛酸铅或铌锌酸铅－钛酸铅晶体生长采用的组分进行氧化物原料配料；然后，把配好的粉料在玛瑙球磨罐中球磨，并在900℃进行煅烧；最后，将煅烧后的粉料与助熔剂氧化铅混合均匀，经过高温下一段时间的泡料后，在钛酸锶基片上外延生长制备PZNT(PMNT)厚膜。本发明采用氧化铅作助熔剂，钛酸锶基片作籽晶，在高温下通过液相外延的方法制备PZNT(PMNT)铁电厚膜材料，工艺简单，操作方便，能制备成分均一、具有一定厚度和特定取向的PZNT(PMNT)铁电厚膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制备 铁电厚膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种液相外延制备铁电厚膜的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)按照通常铌镁酸铅-钛酸铅PMNT或铌锌酸铅-钛酸铅PZNT晶体生长采用的组分进行氧化物原料配料；(2)在玛瑙球磨罐中球磨6～8小时，并在900℃进行4～8小时煅烧；(3)将煅烧后的粉料按照(40～50)wt％PZNT或PMNT与(50～60)wt％氧化铅进行均匀混合，压片；(4)将粉料压片放入坩埚中，并升温至1150～1180℃进行10～20小时泡料；(5)待其完全熔化为液体后，降温至1060～1080℃，在钛酸锶籽晶基片上进行PZNT(PMNT)厚膜的外延生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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