[发明专利]一种制备p型氧化锌薄膜的方法无效
| 申请号： | 03129300.X | 申请日： | 2003-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1461044A | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 季振国;王超;刘坤;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;H01L31/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的制备p型氧化锌薄膜的方法是利用磁控溅射法，在磁控溅射过程中，以金属锌为磁控溅射的靶，在工作气体氩气中另外通入氮气或氮气和氧气作为反应气，使磁控溅射真空室压强为10－1Pa～100Pa，氮气流量与氩气流量的比在1∶10～1∶1范围内，氧气流量与氩气流量的比在0∶1～1∶1范围内，进行磁控溅射镀膜，获得氮氧锌薄膜，再将氮氧锌薄膜在大气或氧气氛中进行热处理，热处理温度在300℃～500℃范围内，处理时间为0.5～5小时，制得p型氧化锌薄膜。本发明方法原理简单，载流子浓度控制方便，可操作性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氧化锌 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.p型氧化锌薄膜的制备方法，其特征是包括以下步骤：1)清洗衬底，除去表面的油脂和污物；2)把衬底放入磁控溅射室中，以金属锌为磁控溅射的靶，抽真空至10-3Pa，加热衬底，使其温度保持在100～500℃范围内的某个值，通入工作气体氩气，反应气体氮气或氮气和氧气，使真空室压强为10-1Pa～100Pa之间，氮气流量与氩气流量的比在1∶10～1∶1范围内，氧气流量与氩气流量的比在0∶1～1∶1范围内；3)开启磁控溅射电源，进行磁控溅射镀膜，获得氮氧锌薄膜；4)将上述制备的薄膜从真空室取出，在大气或氧气氛中进行热处理，热处理温度在300℃～500℃范围内，处理时间为0.5～5小时，得p型氧化锌薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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