[发明专利]p型Zn1-xMgxO晶体薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 03129312.3 | 申请日： | 2003-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1462822A | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄靖云;叶志镇;张银珠;赵炳辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的p型Zn1－xMgxO晶体薄膜，其p型掺杂剂的掺杂浓度为1015～1021cm－3，载流子浓度为1014～1019cm－3。制备采用脉冲激光沉积法，步骤如下：先取高纯ZnO、MgO和p型掺杂剂的粉末，其中MgO摩尔含量x为0＜x≤40％，p型掺杂剂的摩尔含量y为0＜y≤1％，将上述粉末均匀混合，研磨后加入有机粘结剂压制成型，在300～800℃温度下烧结，制得p型掺杂的Zn1－xMgxO陶瓷靶，然后以压力为8～15Pa的高纯氧气作为生长气氛，所得的陶瓷靶为靶材，利用激光照射靶面，形成激波，把靶材输送到经清洗的衬底生长获得p型Zn1－xMgxO晶体薄膜。本发明通过调节靶材中掺杂剂的摩尔含量可以控制掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | zn1 xmgxo 晶体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.p型Zn1-xMgxO晶体薄膜，其特征在于该晶体薄膜p型掺杂剂的掺杂浓度为1015～1021cm-3，载流子浓度为1014～1019m-3。
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