[发明专利]自生增强体的高频磁场法细化工艺无效
| 申请号： | 03129393.X | 申请日： | 2003-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1472021A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 李赤枫;王俊;疏达;李克;孙宝德 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B22D27/02 | 分类号： | B22D27/02 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟 |
| 地址： | 20003*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种自生增强体的高频磁场法细化工艺，属于复合材料领域。本发明在管状铸型的内表面涂敷一层含有细化元素的涂层，然后在合金液浇注成型的过程中，首先利用感生高频磁场对材料表面产生的加热效应，营造材料表面的细化环境，而后降低高频磁场对材料的加热效应，增强感生高频磁场对自生增强体的偏聚效应，迁移并重熔增强体，最后，使材料冷却凝固，获得表面性能优异的自生梯度复合材料。本发明能够在自生梯度复合材料的形成过程中针对性地完成表面偏聚增强体的细化，增加细化元素对增强体的跟随性，提高自生梯度复合材料的表面性能，节约制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 自生 增强 高频 磁场 细化 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种自生增强体的高频磁场法细化工艺，其特征在于，在管状铸型的内表面涂敷一层含有细化元素的涂层，然后在合金液浇注成型的过程中，首先利用感生高频磁场材料表面的加热效应，营造材料表面的细化环境，而后降低高频磁场对材料的加热效应，增强感生高频磁场对自生增强体的偏聚效应，迁移并重熔增强体，最后，使材料冷却凝固，获得表面性能优异的自生梯度复合材料。
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