[发明专利]用加热化学气体产生的雾状化学剂处理基片的方法及系统无效
申请号: | 03129647.5 | 申请日: | 2003-07-02 |
公开(公告)号: | CN1567541A | 公开(公告)日: | 2005-01-19 |
发明(设计)人: | 倪党生 | 申请(专利权)人: | 上海思恩电子技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;B08B3/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 邓琪 |
地址: | 200083上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是通过使用加热化学气体而生成的雾状化学剂来进行基片清洗的一个系统,尤其适用于半导体硅片与平板显示器的清洗,而这种雾状化学剂则是由加热化学气体而产生的。这种不同的被加热的雾状化学剂,依不同的工艺程序经加压后,连续地进入处理容器内,这些微小的化学物质经加热加压后,渗透到复杂的基片表层上,形成一个有效的工业处理薄膜。该装置是由一种能拒腐于所有典型化学剂及气体的材料构成。它具有使雾状化学剂及气体不断循环以达到均匀处理内部基片的功能。由于基片工业处理容器的最小化设计而节约化学液与去离子水的消耗,同时成功实现最优化基片的清洁与祛污功能,同时增强基片化学工艺处理的均匀性和产量。 | ||
搜索关键词: | 加热 化学 气体 产生 雾状 化学剂 处理 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.用加热化学气体产生的雾状化学剂处理基片的方法,包括如下步骤:在容器中安装基片;关闭容器并保持不泄露一定压力的气体;流入热氮气来等温;在容器内流入一种雾状化学剂,它是由加热的化学气体产生的;在容器内循环雾状化学剂;用去离子水清洗基片;在容器内压入一种叫异丙基酒精的温雾状溶液,以此来祛除基片上大多数的去离子水;加入热氮气来彻底干燥基片和容器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海思恩电子技术有限公司,未经上海思恩电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03129647.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:倾斜影像自动校正方法
- 下一篇:电子装置及其立体天线构造
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造