[发明专利]包含硅氢键的聚二硅氧烷及其制备方法无效

专利信息
申请号: 03129695.5 申请日: 2003-07-03
公开(公告)号: CN1478805A 公开(公告)日: 2004-03-03
发明(设计)人: 崔孟忠;李竹云;唐小真 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C08G77/48 分类号: C08G77/48
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟
地址: 20003*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明披露了一种包含硅氢键的聚二硅氧烷,它是主链含有硅硅氧重复链节、侧链含有硅氢键和硅烃基团的有机硅聚合物。它的制备方法是通过烃基含氢二氯硅烷或烃基含氢二氯硅烷与二烃基二氯硅烷混合单体与碱金属进行Wurtz法还原偶联反应,之后直接水解、缩合反应;或醇解反应之后再进行水解、缩合反应以及产物的分离等步骤。该聚合物具有良好的可加工性、热稳定性和光稳定性,并随后可被交联或进一步反应。该聚合物在弹性体材料、陶瓷前驱体、光致刻蚀剂、半导体材料、非线性光学材料、光折变材料及空穴传输材料等领域有着十分广泛的应用前景。
搜索关键词: 包含 氢键 聚二硅氧烷 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种包含硅氢键的聚二硅氧烷,其特征在于该聚合物主链含有硅硅氧重复链节、侧链含有硅氢键和硅烃基团,其结构如下述(1)-(4)式:其中(1)、(2)结构式中n是2-3000的整数;(3)、(4)结构式中n与m是大于零的正整数,n与m的和为2-3000的整数;端基R1代表H、甲基、乙基、异丙基,可以是相同的或不相同的前述基团;R2、R3、R4、R5、R6代表相同或不相同的甲基、乙基、苯基。
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