[发明专利]锁模激光器用的宽带低损耗半导体可饱和吸收镜无效

专利信息
申请号: 03130012.X 申请日: 2003-06-10
公开(公告)号: CN1477740A 公开(公告)日: 2004-02-25
发明(设计)人: 张志刚;王清月;柴路;孙大睿;赵江山;刘永军 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01S3/098 分类号: H01S3/098;H01S5/065;H01S3/02
代理公司: 天津市学苑有限责任专利代理事务所 代理人: 赵尊生
地址: 3000*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种用于锁模激光器用的宽带低损耗半导体可饱和吸收镜。属于锁模激光器的一种辅助技术。该吸收镜由反射镜支撑片、粘合剂层、金属(金或银)膜反射层、透明半导体层(铝镓砷,铟铝镓砷)、半导体量子阱可饱和吸收体(镓砷,铟镓砷)、透明半导体层(铝镓砷,铟铝镓砷)依次构成,其特征在于:在金属(金或银)膜反射层和相邻的透明半导体层(铝镓砷,铟铝镓砷)之间插入一层低折射率(小于1.65)的透明介质层,或者是在该透明介质层和透明半导体层之间再插入由高、低折射率介质层对组成的高反膜层。该半导体可饱和吸收镜具有宽带、高反射、低损耗等优点,能够导致锁模激光器的低阈值、高效率和短脉冲运转。
搜索关键词: 激光 器用 宽带 损耗 半导体 饱和 吸收
【主权项】:
1.一种锁模激光器用的宽带低损耗半导体可饱和吸收镜,该吸收镜由反射镜支撑片、粘合剂层、金属(金或银)膜反射层、透明半导体层(铝镓砷,铟铝镓砷)、半导体量子阱可饱和吸收体(镓砷,铟镓砷)、透明半导体层(铝镓砷,铟铝镓砷)依次构成,其特征在于:在金属(金或银)膜反射层和相邻的透明半导体层(铝镓砷,铟铝镓砷)之间插入一层低折射率(小于1.65)的透明介质层,或者是在该透明介质层和透明半导体层之间再插入由高、低折射率介质层对组成的高反膜层。
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