[发明专利]半导体器件的制造工艺

摘要

借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。

主权项

1.半导体器件的制造工艺，包括下列步骤：通过半导体衬底的第一氧化工艺在半导体衬底的电路形成面上形成第一氧化膜的步骤，在第一氧化膜上形成抗氧化膜的步骤，在抗氧化膜上形成光刻胶膜的步骤，清除所需部分处的部分光刻胶膜的步骤，清除部分抗氧化膜和第一氧化膜的步骤，在清除了第一氧化膜的部分中的半导体衬底上开挖沟槽的步骤，清除抗氧化膜上的部分光刻胶膜的步骤，通过使第一氧化膜从元件隔离区凹陷5-40nm形成凹陷空间的步骤，通过半导体衬底的第二氧化工艺在凹陷空间和沟槽内壁中形成第二氧化硅膜的步骤，在沟槽中的第二氧化膜上埋置元件隔离膜的步骤，清除半导体衬底上的抗氧化膜和第一氧化膜的步骤，以及在清除了第一氧化膜的半导体衬底的部分上形成栅介质膜和栅电极的步骤。