[发明专利]字符线交接点布局结构有效
| 申请号： | 03130646.2 | 申请日： | 2003-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN1549342A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘振钦;陈耕晖;黄兰婷 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种字符线交接点布局结构，其包括：一隔离岛，位于二内存区域之间的一基底上；一字符线，横跨过该基底以及该隔离岛；一接触窗，位于该隔离岛上方的该字符线上，其中隔离岛与接触窗的尺寸相近；以及一金属线，位于基底的上方，且藉由该接触窗与该字符线电性连接。由于隔离岛和接触窗一样小，因此在定义位线的光阻图案时，靠近内存区域边缘的关键尺寸将不会受到隔离岛的影响，即，位于记忆区边缘的位线可作为具有功用的位线，而不再是假位线，借由这种布局方式，使得邻近场氧化层的位线其关键尺寸不再受到场氧化层的影响，而可省去假位线，进而可以增加内存数组的积集度，从而更加适于实用。 | ||
| 搜索关键词： | 字符 交接点 布局 结构 | ||
【主权项】：
1、一种字符线交接点布局结构，其特征在于其包括：一隔离岛，位于二内存区域之间的一基底上；一字符线，横跨过该基底以及该隔离岛；一接触窗，位于该隔离岛上方的该字符线上；以及一金属线，位于该基底的上方，且藉由该接触窗与该字符线电性连接。
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