[发明专利]静态型半导体存储器

摘要

SRAM具备：在N阱区上形成的第1和第2存取PMOS晶体管(P1、P2)；在P阱区上形成的第1和第2驱动NMOS晶体管(N1、N2)；字线；以及第1和第2位线。使有源区(2a～2d)在同一方向上延伸，使形成各MOS晶体管的栅的多晶硅布线(3a～3d)在同一方向上延伸，用第1金属布线(5c、5d)分别连接第1和第2存取PMOS晶体管(P1、P2)的漏以及第1和第2驱动NMOS晶体管(N1、N2)的漏，而不使形成第1和第2驱动NMOS晶体管的栅的多晶硅布线(3b、3d)介于它们之间。

主权项

1.一种静态型半导体存储器，其特征在于：具备：第1及第2位线；字线；第1导电型的第1及第2存取MOS晶体管，各自的源分别与上述第1及第2位线连接，各自的栅共同地与上述字线连接；以及与上述第1导电型不同的第2导电型的第1及第2驱动MOS晶体管，对各自的源施加接地电位，各自的漏分别与上述第1及第2存取MOS晶体管的漏连接，各自的栅分别与上述第2及第1存取MOS晶体管的漏连接，用金属布线连接上述第1存取MOS晶体管的漏和上述第1驱动MOS晶体管的漏，而不使上述第2驱动MOS晶体管的栅介于其间，用金属布线连接上述第2存取MOS晶体管的漏和上述第2驱动MOS晶体管的漏，而不使上述第1驱动MOS晶体管的栅介于其间。