[发明专利]利用二倍空间频率技术定义掩膜图案的方法及其装置无效
| 申请号： | 03130766.3 | 申请日： | 2003-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1450406A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | D·范登布雷克;J·F·陈 | 申请（专利权）人： | ASML蒙片工具有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 荷兰维尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种生成在一衬底上刻印目标图案时使用的掩膜的方法。该方法包括以下步骤：(a)确定将要刻印在一衬底上表示一电路设计的一目标图案；(b)所述目标图案按照系数为0.5缩小，以生成第一图案；以及(c)执行布尔操作，结合目标图案与所述第一图案，生成第二图案。第二图案作为目标图案被刻印于衬底上。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 二倍 空间 频率 技术 定义 图案 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1、一种用于生成用于成像系统的一掩膜的方法，所述方法包括以下步骤：(a)确定将要印制在一衬底上表示一电路设计的一目标图案；(b)通过使用小于1的系数缩所述小目标图案来生成一第一图案；以及(c)通过执行结合所述目标图案与所述第一图案的布尔操作来生成第二图案。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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